Pamięć GDDR6 zapewniła Samsungowi nagrodę Najlepszej Innowacji na tegorocznych targach CES 2018. Jednak możliwości HMB2 nie zostały przebite.
Zwycięski układ K4ZAF325BM-HC14 jest 16-gigabitową kością pamięci osiągającą prędkość 16 Gb/s z przepustowością 64 GB/s. Pracuje przy napięciu 1,35 V w przeciwieństwie do GDDR5, które wymaga stabilnego 1,5 V. Taka specyfikacja oznacza, że starsza generacja pamięci została praktycznie rozłożona na łopatki. Samsung na temat swojego prototypu wypowiada się krótko i zwięźle:
Układ pamięci GDDR6 przetwarza obrazy i wideo z prędkością 16 Gb/s o przepustowości danych 64 GB/s. To odpowiada przenoszeniu około 12 płyt Full HD DVD (odpowiednik 5 GB) na sekundę.
Szybsze, pojemniejsze i bardziej energooszczędne kości prawdopodobnie wejdą na rynek w przyszłym roku. Niewykluczone, że nowe karty graficzne Nvidii z procesorami wykonanymi w architekturze Volta zostaną wyposażone właśnie w pamięć GDDR6. Oby tylko Samsung dotrzymał słowa i nie zwlekał z premierą jak Micron.
Źródło: pcgamer.com, techfrag.com
