Aż 512 GB moduł DDR5 Samsunga pobił rekordy dzięki technologii HKMG

512 GB moduł DDR5 Samsunga

Firma Samsung Electronics poinformowała właśnie, że z dniem dzisiejszym rozszerzyła swoją ofertę pamięci o rekordowy układ. W grę wchodzi aż 512 GB moduł DDR5 Samsunga.

512 GB moduł DDR5 Samsunga tylko do przemysłu

Ten wyjątkowy moduł został wyprodukowany na podstawie technologii High-K Metal Gate (HKMG), a że bazuje na nowym standardzie o prędkości rzędu 7200 Mb/s, to znacząco przewyższy rozwiązania DDR4. Dzięki temu ten nowy moduł DDR5 będzie w stanie sprostać najbardziej wymagającym obciążeniom w superkomputerach, sztucznej inteligencji i uczeniu maszynowym, a także aplikacjom do analizy danych.

Czytaj też: MSI podwyższy ceny kart graficznych

Proces HKMG został po raz pierwszy zastosowany w pamięci GDDR6 firmy Samsung w 2018 roku, ale sięgnął po inne segmenty, czego przykładem jest ten 512 GB moduł DDR5 Samsunga. Dodatkowo ten moduł wykorzystuje technologię TSV i składa się z ośmiu warstw układów DRAM 16 Gb/s, aby zapewnić pojemność 512 GB.

Chcesz być na bieżąco z WhatNext? Śledź nas w Google News