Obecnie procesory w naszych sprzętach operują na GHz (gigahercowych) taktowaniach i trwają w takim stanie od wielu lat. Na szczęście naukowcy już opracowują nowe tranzystory, którym wartość THz nie będzie straszna.
Oczywiście do tej pory opracowano już rozwiązania, które są w stanie to osiągnąć, ale zarówno tranzystorom HBT (bipolarnym), jak i HET („gorących elektronów”) nie udało się przeforsować na szerszą skalę przez trudności w ich produkcji i nierzadko w samym zachowaniu. Ostatnio jednak naukowcy z Institute of Metal Research i Chinese Academy of Sciences skonstruowali pierwszy tranzystor oparty na grafenie z emiterem Schottky’ego. Mowa o tranzystorze krzemowo-grafenowo-germanowym.
Korzystając z membrany półprzewodnikowej i transferu grafenu, zespół ułożył w stos trzy materiały, a w tym górną jednokrystaliczną membranę Si typu n, środkowy jednowarstwowy grafen (Gr) i dolne podłoże Ge typu n. W porównaniu z poprzednimi emiterami tunelowymi, prąd nadajnika Si-Gr wykazał maksymalne napięcie prądu i najmniejszą pojemność, co prowadziło do opóźnienia ponad 1000 razy krótszego.
Dlatego też oczekuje się, że częstotliwość wzrośnie z około 1 MHz przy użyciu poprzednich nadajników tunelowych do powyżej 1 GHz, co finalnie zaprowadzi do THz układów. Te w strukturze półprzewodnik-grafen-półprzewodnik są obiecujące do zastosowania w przyszłej monolitycznej integracji 3D ze względu na zalety grubości atomowej i samą wydajność/
