Micron pochwalił się, że rozpoczął wysyłkę najszybszych modułów HBM4 DRAM dla klientów. Nowe układy osiągają ponad 11 Gbps na pin i zapewniają przepustowość sięgającą 2,8 TB/s, co ma przewyższać konkurencję zarówno pod względem wydajności, jak i efektywności energetycznej.
Firma potwierdziła również strategiczne partnerstwo z TSMC, które będzie odpowiedzialne za produkcję układów bazowych w nadchodzącej pamięci HBM4E. Ten standard ma zadebiutować w 2027 roku i będzie oferowany zarówno w wersjach standardowych, jak i niestandardowych – tworzonych we współpracy z klientami, co pozwoli na uzyskanie wyższych marż. Obecnie Micron współpracuje już z sześcioma odbiorcami w segmencie HBM.
To jednak nie koniec nowości. Producent ujawnił też plany dotyczące pamięci GDDR7, które w przyszłych iteracjach mają przekroczyć prędkość 40 Gbps na pin. Dla porównania, pierwsze układy GDDR7 od Microna oferowały 32 Gbps, co oznacza wzrost o 25%. Technologia ta trafiła już do kart graficznych NVIDII i ma kluczowe znaczenie także dla systemów AI.
Micron poinformował ponadto o szybkim dojrzewaniu procesu 1γ DRAM (aż 50% szybciej niż poprzednia generacja) oraz o pomyślnym starcie masowej produkcji pamięci NAND G9 w wariantach TLC i QLC. Firma jako pierwsza dostarczyła też serwerowe dyski SSD PCIe Gen6 i kontynuuje rozwój rozwiązań dla centrów danych.
Źródło: Micron
