Idea i próby wykorzystania DNA jako półprzewodnika są wykonywane cały czas na całym świecie. Mówi się także, że może to zrewolucjonizować całą elektronikę. Jednakże jest to organiczny materiał, przez co istnieje wiele kontrowersji na temat jego używania. Na ciekawy pomysł wpadli naukowcy z Technical University of Munich- co gdyby stworzyć nieorganiczny półprzewodnik, który miałby pewne właściwości DNA?
Odkryli oni strukturę podwójnej helisy DNA w nieorganicznym materiale półprzewodnikowym. Składa się on z cyny (Sn), jodu (I) oraz fosforu (P) i stąd jego nazwa- SnIP. W czasopiśmie Advanced Materials naukowcy opisują odkrycie. Odpowiednie ułożenie tych atomów w podwójną helisę w centymetrowym materiale pozwala na jego podział na znacznie mniejsze nici. W laboratorium dotarli oni do odcinków o długości zaledwie kilku nanometrów.
Nowy półprzewodnik, na wzór DNA, jest bardzo elastyczny. Jego przewagą nad organicznym odpowiednikiem są właśnie malutkie wymiary, które nie są możliwe w przypadku DNA. Oprócz tego zastosowane pierwiastki są obecne na Ziemi w znacznie większych ilościach niż te standardowo używane w elektronice (gal, ind czy arsen).
Naukowcy złożyli już wniosek o patent na syntezę oraz na możliwe zastosowanie półprzewodnika, a tych zapowiada się sporo. SnIP może być przydatny w urządzenia półprzewodnikowych (oczywistość), ogniwach słonecznych czy urządzeniach termoelektrycznych. Główny autor dodaje, że gdyby znaleźć firmę zainteresowaną zaprezentowanym rozwiązaniem to jego wdrożenie potrwałoby 1-2 lata.
Źródło: http://spectrum.ieee.org
