WRÓĆ DO STRONY
GŁÓWNEJ
Technowinki

10nm proces Intela zwiększa gęstość tranzystorów o 2,7 razy

Projekt Intela z implementacją 10nm procesu technologicznego na szeroką skalę wlecze się i daje szansę AMD, ale najnowsze badania wskazują, że jest na co czekać. Mowa bowiem o 2,7 razy większej gęstości tranzystorów względem 14nm rozwiązania.

Tak przynajmniej twierdzą naukowcy z serwisu Tech Insights, który specjalizuje się w m.in. dociekaniu, co tak naprawdę siedzi w najnowszych procesorach. Ze względu na to zdecydowali się wyciągnąć procesor Cannon Lake Core i3-8121U z notebooka Lenovo Ideapad330 i włożyć go pod soczewki elektronowego mikroskopu. Zaowocowało to oczywiście w informacjach, które próżno szukać w udostępnionej specyfikacji technicznej producenta.

Wyszło na to, że 10nm proces Intela zwiększa ilość tranzystorów obecnych na krzemowym rdzeniu aż o 2,7 razy. Oczywiście w porównaniu do obecnej, 14nm litografii firmy. Pozwala to tym samym Intelowi na upakowanie 100,8 milionów tranzystorów na pojedynczym milimetrze kwadratowym. Warto również wspomnieć o skorzystaniu z trzeciej generacji rozwiązania FinFET. Zaowocowało to jeszcze większym zredukowaniem wielkości bramek z wielkości 52nm do 36nm. W grę wchodzi również zamiana przewodowej miedzi i wolframu na znacznie lepszy pod kątem rezystancji kobalt.

Źródło: TechPowerUp