Firma SK Hynix ogłosiła zakończenie prac nad najbardziej zaawansowaną pod kątem liczby warstw wielowarstwową pamięcią flash 512 Gigabit Triple-Level Cell (TLC) 4D NAND w branży.
Aż 176-warstwowe pamięci 4D NAND
SK Hynix opracował tak gęsto upakowane kości pamięci za sprawą trzeciej generacji technologii 4D. Nowa 176-warstwowa pamięć NAND zapewnia najlepszą w branży liczbę warstw na układ, co pozwala zwiększyć produktywność o 35% w porównaniu z poprzednią generacją.
Czytaj też: AMD szykuje mobilne karty Radeon RX 6000M
Czytaj też: Najciekawsze newsy tygodnia – hardware [07.12.2020]
Czytaj też: W sieci dostrzeżono AMD Ryzen 9 5900HX
Szybkość odczytu komórki wzrosła o 20% w porównaniu z poprzednią generacją, w której zastosowano technologię selekcji macierzy komórek z 2 podziałami. Szybkość przesyłania danych również została poprawiona o 33%, czyli do 1,6 Gb/s dzięki zastosowaniu technologii przyspieszającej bez zwiększania liczby procesów.
Czytaj też: Gigabyte szykuje laptopy z kartami RTX 3000
Czytaj też: Dwie karty Radeon RX 6800 XT przetestowane w grach
Czytaj też: ASRock wdraża CAM do Z490 Taichi
Teraz SK Hynix planuje wypuścić na rynek wyposażone w te układy konsumenckie i korporacyjne dyski SSD. Planuje również konsekwentnie zwiększać swoją konkurencyjność w biznesie NAND flash poprzez opracowywanie 1 Tb układów o podwójnej gęstości, opartych na tej nowej 176-warstwowej pamięci 4D NAND.
