Firma SK hynix Inc. ogłosiła zakończenie prac rozwojowych nad HBM4 oraz pełne przygotowanie linii do jej masowej produkcji – po raz pierwszy na świecie. Nowa pamięć ma trafić do zastosowań AI, gdzie wymagana jest najwyższa wydajność i efektywność energetyczna.
Według producenta, HBM4 zapewnia podwojoną przepustowość względem poprzedniej generacji dzięki zastosowaniu 2048 linii I/O oraz ponad 40% lepszą efektywność energetyczną. Przekłada się to na wzrost wydajności usług AI nawet o 69%, co pozwoli zmniejszyć problem wąskich gardeł w przetwarzaniu danych i znacząco obniżyć koszty zasilania centrów danych. Co istotne, układy SK hynix przekroczyły standard JEDEC (8 Gbps), osiągając prędkość pracy powyżej 10 Gbps.
HBM4 została opracowana z wykorzystaniem sprawdzonego procesu Advanced MR-MUF oraz litografii 1b nm (piąta generacja technologii 10 nm), co ma zminimalizować ryzyko problemów w produkcji masowej.
Przedstawiciele firmy podkreślają, że wdrożenie HBM4 będzie przełomem dla infrastruktury AI.
„HBM4 to symboliczny punkt zwrotny, który pozwoli przełamać ograniczenia obecnych rozwiązań i stanie się kluczowym elementem przyszłych systemów sztucznej inteligencji”
powiedział Justin Kim, prezes i szef działu AI Infra w SK hynix.
Producent zapowiada, że dzięki HBM4 umocni swoją pozycję lidera rynku pamięci dla AI i stanie się pełnoprawnym dostawcą rozwiązań „full-stack” dla tej branży.
Źródło: SK hynix
