Kości pamięci 3D NAND i DRAM znajdziemy w każdym nowym smartfonie i komputerze, dlatego warto podejrzeć, jak firma SK Hynix widzi przyszłość tych układów.
Przyszłości DRAM i 3D NAND
22 marca CEO SK Hynix, czyli jednego z nielicznych gigantów produkujących te układy na światowym rynku, podzielił się ze światem wielkimi planami firmy, jaką zarządza. Przykładowo do tej pory zakładała, że przez bardzo ograniczone skalowanie 3D NAND, będzie w stanie stworzyć tylko 500-warstwowe układy w przyszłości, ale ostatnie wewnętrzne badania podniosły te spekulacje do 600-warstwowych 3D NAND.
Czytaj też: Ostatnie tygodnie sklepów Sony dla starszych konsol. Wsparcie utrzymają tylko dwie
Nie liczcie jednak na rychłe cuda, bo obecnie SK Hynix jest w stanie produkować 176-warstwowe układy 3D NAND o pojemności 512 Gb. Razem z nowymi warstwami przyjdą też nowe możliwości, bo ostatnio firma wprowadziła technologię osadzania warstw atomowych (ALD) w celu dalszej poprawy właściwości komórki w zakresie wydajnego przechowywania ładunków elektrycznych i ich eksportowania. Wprowadziła innowacje do dielektrycznych materiałów, rozwiązała problem z naprężeniami w warstwie, zaczęła kontrolować poziomy naprężeń mechanicznych warstw i opracowała izolowany CTN, aby zwiększyć niezawodność.
Czytaj też: Obejrzyjcie unboxing flagowego Intel Core i9-11900K
Jeśli chodzi o układy DRAM, SK Hynix stara się przezwyciężyć kilka problemów, sięgając po litografię EUV i obniżyć proces produkcji poniżej 10 nm razem z udoskonaleniem grubości dielektryka i opracowaniem materiałów o wysokiej stałej dielektrycznej. Dodatkowo firma pracuje nad elektrodą i materiałami izolacyjnymi nowej generacji.
