Jeden z największych producentów kości DRAM poinformował właśnie o kolejnym sukcesie w swoich fabrykach. Firmie SK Hynix udało się stworzyć swoje pierwsze układy pamięci DDR4 DRAM z wykorzystaniem 10 nm procesu technologicznego.
Kości określane mianem 1Ynm 8Gb niosą za sobą oczywiście wiele zapewnień, które przyjdzie nam sprawdzić w praktyce. Na papierze zyski na wielu frontach prezentują się jednak naprawdę okazale. Przekładają się bowiem na o 20% wyższą wydajność oraz 15% wzrost energooszczędności względem poprzedniej generacji 1Xnm DRAM. Natywnie wspierają również pracę na częstotliwości rzędu 3200 MHz. Ponadto SK Hynix postarał się o modyfikację systemu zasilania, która polega teraz na 4-fazowym taktowaniu, co „podwaja sygnał zegarowy w celu zwiększenia szybkości i stabilności transferu danych”.
Ponadto firma zaprezentowała swoją nową technologię Sense Amp. Control, która redukuje zużycie energii i szansę na wywołanie błędu w pamięci. Zmiany sprowadzają się więc do samej struktury tranzystora oraz dodatkowego obwodu zasilania, który zapobiega niepotrzebnemu zużyciu energii. Według planów SK Hynix pierwsze dostawy układów pamięci 1Ynm 8Gb rozpoczną się w pierwszym kwartale 2019 roku. Początkowo firma będzie je dedykować komputerom, ale z czasem te zawitają na rynek mobilny.
Czytaj też: Samsung obniży produkcję pamięci DRAM
Źródło: TechPowerUp
