Właśnie odbyła się ISSCC, czyli międzynarodowa konferencja z krzemowymi chipami w roli głównej, gdzie zaprezentowano nowe układy Samsunga MBCFET.
Nowe układy Samsunga MBCFET
Wiem, wiem – to nudne. Jednak tylko z pozoru, bo choć ujawnienie 256 Gb układu pamięci SRAM (Static Random Access Memory) o powierzchni 56 mm², czyli takim szybszym i energooszczędniejszym, ale też droższym poprzedniku DRAM. Tak jak technologia DRAM napędza nasze pamięci DDR4, tak SRAM jest wykorzystywana do znacznie wydajniejszego pokładu pamięci procesora.
Nowe układy Samsunga są wyjątkowe przez wykorzystanie po raz pierwszy technologii MBCFET, czyli odmiany GAAFET w 3 nm procesie produkcyjnym. Ta technologia oznacza wykorzystanie w układzie wielokanałowego tranzystora polowego z nanoprzewodami. Uzyskano w nim zużycie energii podczas zapisu o 230 mV mniejsze, co w porównaniu ze standardowym podejściem, pozwala firmie zastosować wiele różnych technik oszczędzania energii.
Oczekuje się, że nowy 3 nm proces MBCFET wejdzie do produkcji na dużą skalę w 2022 roku, jednak nie widzieliśmy jeszcze demonstracji układów logicznych poza SRAM.
