Intel zrewolucjonizuje rynek półprzewodników – tak można odczytać najnowsze ogłoszenie firmy, które skupia się na tym, jak tego dokona, utrzymując przy życiu Prawo Moore’a. Jesteście ciekawi?
Czytaj też: Nowe procesory Intela i karty graficzne NVIDIA w laptopach Acer i MSI nowej generacji
Poznaliśmy plany tego, jak Intel zrewolucjonizuje rynek półprzewodników
Z swoim hucznym ogłoszeniu, Intel chwali się, że jego inżynierowie zdołali 10-krotnie poprawić gęstość wewnętrznych połączeń w swoich układach. Wszystko dzięki technologii Foveros Direct, umożliwiającej uzyskanie sub-10-mikronowych odstępów między tymi połączeniami. Dodatkowo firma powoli wkracza w erę „po” tranzystorach FinFET, dążąc do układania wielu tranzystorów i tym samym osiągnięcia 30/50% poprawy skalowania układów logicznych poprzez zmieszczenie większej liczby tranzystorów na każdym milimetrze kwadratowym krzemu.
Czytaj też: Już wkrótce Intel dogada się z TSMC w kwestii 3nm procesu
Intel dba też o poszukiwanie nowych materiałów o grubości zaledwie kilku atomów, które mogą być wykorzystane do produkcji tranzystorów, pokonujących ograniczenia krzemu i umożliwiających uzyskanie milionów tranzystorów na powierzchni matrycy. Chce wprowadzić też DRAM w nową erę, wprowadzając ją bezpośrednio do procesora i wykorzystując do tego nowatorskie materiały ferroelektryczne. Wszystko po to, aby sprostać rosnącej złożoności aplikacji obliczeniowych, od gier po sztuczną inteligencję przed erą obliczeń kwantowych na wyciągnięcie ręki.
